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晶振系列

首頁(yè)歐美晶振日蝕晶振Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振

    Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：66431852
  • 頻率：3.579545MHz to 50MHz
  • 尺寸：13.3*4.85
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  • 產(chǎn)品描述：Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000MTR貼片晶振,E1SJA18-6.000MTR,無(wú)源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000MTR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000MTR...


Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無(wú)源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000M TR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000M TR石英晶振，無(wú)源晶振，E1SJA18-14.31818M TR石英晶體諧振器，MHz石英晶體，E1SEA18-12.000M TR無(wú)鉛環(huán)保晶振，被廣泛用于移動(dòng)通訊設(shè)備，平板電腦，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)晶振，藍(lán)牙模塊晶振，汽車電子晶振，醫(yī)療設(shè)備，數(shù)碼電子，物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無(wú)源晶振,參數(shù)圖

日蝕晶振

單位

E1S晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

3.579545MHz to 50MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55℃~+125℃

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)（有關(guān)更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)部件號(hào)指南選項(xiàng)）

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW ～ 100μW

頻率公差

f_— l

±150ppm
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.txccrystal.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C ～+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無(wú)源晶振,尺寸圖


Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無(wú)源晶振
在使用晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂. Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無(wú)源晶振
6：靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作
制造商零件編號(hào) 供應(yīng)商 系列 類型 頻率 頻率穩(wěn)定性
E1SJA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 7.3728 MHz ±30ppm
E1SCA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±100ppm
E1SFA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±50ppm
E1SJA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4 MHz ±30ppm
E1SJA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±30ppm
E1SEA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±50ppm
E1SDA12-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 25 MHz ±50ppm
E1SFA12-3.6864M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 3.6864 MHz ±50ppm
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6 MHz ±30ppm
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18.432 MHz ±30ppm
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek晶振 E1S MHz 晶體 4 MHz ±50ppm
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.31818 MHz ±30ppm
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6.144 MHz ±30ppm
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 28.63636 MHz ±30ppm
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 13 MHz ±30ppm
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 19.6608 MHz ±30ppm
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 9.8304 MHz ±30ppm
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18 MHz ±30ppm
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 20 MHz ±30ppm
E1SJA18-14.7456M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.7456 MHz ±30ppm
E1SCA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 7.3728 MHz ±100ppm
E1SEA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16 MHz ±50ppm
E1SEA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 12 MHz ±50ppm
E1SJA18-10.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 10 MHz ±30ppm
E1SJA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 12 MHz ±30ppm
E1SJA18-11.0592M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 11.0592 MHz ±30ppm
E1SJA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 8 MHz ±30ppm
E1SJA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 16 MHz ±30ppm
E1SJA18-3.579545M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 3.579545 MHz ±30ppm



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